お知らせエンジニア日記

高電圧チョッパー電源

　以前紹介したMOS-FETマルクス回路を使用し高電圧チョッパー電源を試作した。
　以前製作したものは、正極性パルスを発生する基板だったが、今回は負極性を発生する基板を開発し、この基板を４枚多段接続することにより、充電電圧の４倍の－１０ｋVの高圧パルスを発生させた。
　ゲート電源は主回路から供給し、トリガは光ファイバーでトリガするので、接地に対する浮遊容量が極めて小さく、高速で、立上げ、立下げが可能となった。
　更に、本高電圧パルスチョッパー電源と高圧バイアス電源を組み合わせることで、正極性の高電圧直流電圧の一部を部分的に電圧を下げ、加速電極に高速パルス変調をかけることが可能である。
　本高電圧チョッパー電源は高エネルギー加速器研究機構で開発中のインダクションシンクロトロンのイオンビーム入射部のイオンビームの単パルス切り出しに使用する予定をしている。

４段積み上げた負極性MOS-FETマルクス基板

MOS-FETマルクス回路の出力電圧波形(-10kV出力)

高圧直流電圧に重畳させた波形(+17kV→+8kVに高速変調)

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弊社では、パルスパワーの発生と制御に関するあらゆる技術支援を行っております。
研究計画の各段階に応じた下記の技術サービスを提供しております。

  1. 電源システムの概念設計
  2. 高電圧電源の基本設計
  3. 高電圧電源の詳細設計
  4. 高電圧電源の実験品試作、評価試験
  5. 負荷との構造的な組み合わせに最適な小型化設計
  6. 不具合調査、対策（誤動作、ノイズ、故障等）
  7. 性能改善
  8. 実験、データ測定
  9. 解析、シミュレーション（回路計算、強度計算、電磁界計算、熱伝導計算等）
  10. その他

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弊社では、パルスパワーの発生と制御に関する共同研究に対応いたします。
研究計画の各段階に応じた下記の共同研究に対応いたします。

  1. 電源システムの開発
  2. 負荷に適合した最適構造設計
  3. 性能改善
  4. 学生の指導（電気回路、電子回路、電磁気、ＣＡＤ、回路シミュレーション、
    電気・電子・高圧に関する実験等）
  5. 非常勤講師（修論、卒論・卒研の指導）
  6. その他

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